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过电压、过电流的产生
 过电压、过电流的产生大概有以下几种情况

    雷电:雷电是自然界频繁的大气放电现象,地球上平均每秒发生100次左右;雷电脉冲功率可达2亿kW;脉冲电流上升很快(波头时间1~5ms),持续时间很短(波长20~100ms),峰值高达数kA到300kA以上。雷电流强大的冲击机械效应和热效应将使微电子设备遭受严重毁坏。尽管雷电直击微电子设备的可能性不大,但是雷击附近大地、建筑物、交流供电线路或空中雷电感应形成的冲击过电压,都有可能通过与之相连的电源线、信号传输线或接地系统,侵入微电子设备酿成严重的干扰或事故。

    操作过电压:在电网内部,由于各种开关电器的操作、或故障的发生与排除等运行状态的突然变化,如大功率设备的开启、升降的升降停、电房的开关试验等将会产生频率较高、持续时间毫秒级、几倍幅值的操作过电压,通过电源渠道侵入电子系统,影响电子设备的安全运行。

    核致电磁脉冲: 核爆炸会在地面产生强大的电磁场。场强峰值可达50kV/m,功率密度峰值可达6.6MW/m2,约为雷电的100倍;其破坏范围大,400km高空核爆炸,地面的破坏半径约为2200km。核致电磁脉冲将在电子网络中耦合产生很高的暂态过电压,只要耦合能量大于10-10~10-9焦耳,就会导致许多半导体器件与集成电路,工作失效或损坏。

    静电放电: 两种介电常数不同的绝缘材料直接接触互相摩檫时,会发生电荷转移而各带不同电荷,称为静电充电。人体发生静电充电,电荷量通常有0.5~5微库仑,充电电压可达12~30kV。气候愈干燥,电荷量愈大,充电电压愈高。带有上述电荷的人员触及电子设备,就会发生放电现象。放电火花产生的电磁干扰可使微电子设备失灵或损坏。

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